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J-GLOBAL ID：201902232960810172   Reference number：19A2619767

室温¹¹B⁺イオン注入及び1150°C,1300°Cアニール処理によるIIa型ダイヤモンド基板への高効率p型Bドーピング

Author (3)： SEKI YUHEI (神奈川大 大学院) ,  HOSHINO YASUSHI (神奈川大 大学院) ,  NAKATA JOJI (神奈川大 大学院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 80th  Page： ROMBUNNO.20p-E312-13  Publication year： Sep. 04, 2019 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *boron isotope ,  ion implantation ,  annealing(heat treatment) ,  *diamond ,  *doping ,  carrier density ,  temperature dependence ,  Hall mobility
Semi thesaurus term： *boron 11 ,  anneal treatment ,  *ダイヤモンド基板 ,  *p-type doping ,  carrier concentration

JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (6)： 室温 ,  イオン注入 ,  アニール処理 ,  ダイヤモンド基板 ,  高効率 ,  ドーピング