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J-GLOBAL ID：201902233089338029   Reference number：19A1370144

SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大

Author (7)： SAKANE SHUN'YA (大阪大 大学院) ,  ISHIBE TAKAFUMI (大阪大 大学院) ,  FUJITA TAKESHI (高知工科大) ,  IKEUCHI SATOAKI (アドバンス理工) ,  KAMAKURA YOSHINARI (大阪大 大学院) ,  MORI NOBUYA (大阪大 大学院) ,  NAKAMURA YOSHIAKI (大阪大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 66th  Page： ROMBUNNO.9p-W371-8  Publication year： Feb. 25, 2019 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor material ,  nanostructure ,  *thermoelectromotive force ,  *thermal conductivity ,  *electrical conductivity ,  rapid solidification ,  arc melting ,  energy dispersive X-ray spectrometry ,  X-Ray Diffraction ,  image ,  Seebeck coefficient ,  output factor ,  heat distribution ,  thermo-electric power
Semi thesaurus term： SEM image ,  *SiGe ,  thermoelectric power

JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (5)： SiGe ,  ナノ構造 ,  バルク ,  熱分布 ,  出力因子