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J-GLOBAL ID：201902234495186281   Reference number：19A0634207

Characterization of Fine-Pixel X-Ray Imaging Detector Array Fabricated by Using Thick Single-Crystal CdTe Layers on Si Substrates Grown by MOVPE

MOVPEにより成長させたSi基板上に厚い単結晶CdTe層を用いて作製した微細ピクセルX線イメージング検出器アレイの特性評価【JST・京大機械翻訳】

Author (7)： Niraula Madan (Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Yasuda Kazuhito (Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Tsubota Shintaro (Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Yamaguchi Taiki (Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Ozawa Junya (Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Mori Takuro (Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Agata Yasunori (Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 66  Issue： 1  Page： 518-523  Publication year： 2019 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： A novel approach for developin...

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Thesaurus term： diode ,  dark current ,  *pixel ,  *cadmium telluride ,  *single crystal ,  electrification (static charge) ,  *X-ray image ,  bump ,  *MOCVD ,  *detector ,  bonding and joining ,  heterojunction ,  *characterization ,  large area ,  *Si wafer

JST classification (2)： Photodetectors  (NC03083X) ,  Infrared photometry and photodetectors  (BD07032W)

Terms in the title (11)： MOVPE ,  成長 ,  Si基板 ,  単結晶 ,  作製 ,  微細 ,  ピクセル ,  X線イメージング ,  検出器 ,  アレイ ,  特性評価