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J-GLOBAL ID：201902236105769305   Reference number：19A1749448

Valance state of a new-mixed-anion compound revealed by XANES

XANESによって明らかになった新しい混合アニオン化合物の原子価状態

Author (4)： TAKATSU Hiroshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NAMBA Morito (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAGEYAMA Hiroshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KATAYAMA Misaki (Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
Material： Memoirs of the SR Center, Ritsumeikan University  (立命館大学SRセンター紀要)
Issue： 21  Page： 34  Publication year： May. 2019 
JST Material Number： L4610A  ISSN： 1345-1650  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *valence ,  *state ,  *XANES ,  *europium compound ,  *oxide ,  *hydride ,  *vanadium compound ,  pulsed laser deposition ,  thin film ,  X-ray absorption edge ,  absorption edge ,  insulator ,  doping ,  K absorption edge ,  *valence state ,  electron doping ,  Mott-Hubbard insulator ,  mixed-anion materials
Semi thesaurus term： Mott insulator ,  オキシハイドライド ,  混合アニオン化合物

JST classification (1)： Electronic structure of crystalline insulators  (BM02070Y)

Terms in the title (3)： XANES ,  混合アニオン化合物 ,  原子価状態