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J-GLOBAL ID：201902239351371801   Reference number：19A1932821

Spatially-Resolved Photoluminescence Study of Temperature Dependence of Exciton Inelastic Scattering Processes in a ZnO Thin Film

ZnO薄膜における励起子非弾性散乱過程の温度依存性の空間分解光ルミネセンス研究

Author (2)： NAKAYAMA Masaaki (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAYAMA Yojiro (Osaka City Univ., Osaka, JPN)
Material： Journal of the Physical Society of Japan  (JPSJ)
Volume： 88  Issue： 8  Page： 083706.1-083706.4  Publication year： Aug. 15, 2019 
JST Material Number： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *zinc oxide ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *exciton ,  inelastic scattering ,  *photoluminescence ,  carrier scattering ,  temperature dependence ,  space-resolved spectroscopy ,  oxide semiconductor
Semi thesaurus term： 励起子-電子散乱 ,  励起子-励起子散乱 ,  励起子散乱

JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Excitons  (BM02120E)

Reference (23)：

• C. Klingshirn, J. Fallert, H. Zhou, J. Sartor, C. Thiele, F. Maier-Flaig, D. Schneider, and H. Kalt, Phys. Status Solidi B 247, 1424 (2010).
• S. W. Koch, H. Haug, G. Schmieder, W. Bohnert, and C. Klingshirn, Phys. Status Solidi B 89, 431 (1978).
• C. Klingshirn, Phys. Status Solidi B 71, 547 (1975).
• R. Matsuzaki, H. Soma, K. Fukuoka, K. Kodama, A. Asahara, T. Suemoto, Y. Adachi, and T. Uchino, Phys. Rev. B 96, 125306 (2017).
• T. Fischer and J. Bille, J. Appl. Phys. 45, 3937 (1974).

Terms in the title (8)： ZnO薄膜 ,  励起子 ,  非弾性散乱 ,  過程 ,  温度依存性 ,  分解 ,  光ルミネセンス ,  研究