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J-GLOBAL ID：201902239615075711   Reference number：19A2399308

Direct observation of electronic structure change by resistance random access memory effect in amorphous alumina

非晶質アルミナにおける抵抗ランダムアクセスメモリ効果による電子構造変化の直接観測【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Kubota Masato (Japan Atomic Energy Agency (JAEA), 2-4 Shirakata Tokai-mura, Naka-gun, Ibaraki 319-1195, Japan) ,  Nigo Seisuke (International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA),National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Kato Seiichi (International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA),National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Amemiya Kenta (Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization, Tsukuba, Ibaraki 305-0801, Japan)
Material： AIP Advances (Web)
Volume： 9  Issue： 9  Page： 095050-095050-4  Publication year： 2019 
JST Material Number： U7121A  ISSN： 2158-3226  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We measured X-ray absorption s...

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Thesaurus term： calculation ,  *electronic structure ,  *amorphous state ,  X-ray absorption spectrum ,  absorption edge ,  spectrum ,  *alumina ,  band gap ,  thin film ,  electric charge ,  mid-gap ,  ab initio calculation ,  oxygen defect ,  *resistance random access memory
Semi thesaurus term： *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (3)： Magnetic properties of inorganic compounds  (BM06060P) ,  Salts  (CD01050V) ,  Magnetic properties of oxides  (BM06050E)

Terms in the title (5)： 非晶質 ,  アルミナ ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  電子構造 ,  観測