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J-GLOBAL ID：201902240322876041   Reference number：19A1369530

THz-TDSEによる3層構造SiCウエハのバッファ層の電気特性評価

Author (8)： SATO KIICHI (立命館大) ,  FUJII TAKASHI (立命館大) ,  FUJII TAKASHI (日邦プレシジョン) ,  MORI SHIN'ICHIRO (立命館大) ,  ARAKI TSUTOMU (立命館大) ,  ISHIJI KOTARO (九州シンクロトロン光研究セ) ,  IWAMOTO TOSHIYUKI (日邦プレシジョン) ,  SUGIE RYUICHI (東レリサーチセ)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 66th  Page： ROMBUNNO.9a-PB3-3  Publication year： Feb. 25, 2019 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *wafer ,  *buffer layer ,  ellipsometry ,  terahertz wave ,  hexagonal system ,  silicon carbide ,  *carrier density ,  mobility (ratio) ,  film thickness ,  epitaxial layer ,  time-domain measurements
Semi thesaurus term： 4H-SiC ,  trilaminar structure ,  spectroscopic ellipsometry

JST classification (1)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Terms in the title (6)： 3層構造 ,  SiC ,  ウエハ ,  バッファ層 ,  電気特性 ,  評価