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J-GLOBAL ID：201902240682360159   Reference number：19A0307680

14ns write speed 128Mb density Embedded STT-MRAM with endurance>10¹⁰ and 10yrs retention@85°C using novel low damage MTJ integration process

新しい低損傷MTJ積分プロセスを用いた耐久性>1010と10yrs保持@85°Cを持つ14ns書込み速度128Mb密度埋め込みSTT-MRAM【JST・京大機械翻訳】

Author (20)： Sato H. (CIES, Tohoku University, Japan) ,  Honjo H. (CIES, Tohoku University, Japan) ,  Watanabe T. (CIES, Tohoku University, Japan) ,  Niwa M. (CIES, Tohoku University, Japan) ,  Koike H. (CIES, Tohoku University, Japan) ,  Miura S. (CIES, Tohoku University, Japan) ,  Saito T. (Graduate School of Engineering, Tohoku Univ.) ,  Inoue H. (CIES, Tohoku University, Japan) ,  Nasuno T. (CIES, Tohoku University, Japan) ,  Tanigawa T. (CIES, Tohoku University, Japan) ,  Noguchi Y. (CIES, Tohoku University, Japan) ,  Yoshiduka T. (CIES, Tohoku University, Japan) ,  Yasuhira M. (CIES, Tohoku University, Japan) ,  Ikeda S. (CIES, Tohoku University, Japan) ,  Kang S.- Y. (Tokyo Electron Ltd.) ,  Kubo T. (Tokyo Electron Ltd.) ,  Yamashita K. (Tokyo Electron Ltd.) ,  Yagi Y. (Tokyo Electron Ltd.) ,  Tamura R. (Advantest corp.) ,  Endoh T. (CIES, Tohoku University, Japan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2018  Issue： IEDM  Page： 27.2.1-27.2.4  Publication year： 2018 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Novel damage control integrati...

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Thesaurus term： thermal stability ,  *integral ,  *durability ,  silicon ,  switching ,  low temperature ,  magnesium oxide
Semi thesaurus term： 低電力化 ,  蒸着過程 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (5)： Medical image processing  (JE04020T) ,  Speach processing  (JE05000E) ,  NMR in general  (BM07041R) ,  Code theory  (ND02030R) ,  Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (8)： 損傷 ,  MTJ ,  積分 ,  プロセス ,  書込み ,  密度 ,  埋め込み ,  STT-MRAM