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J-GLOBAL ID：201902242055406375   Reference number：19A0626062

Characterization of high-quality relaxed flat InGaN template fabricated by combination of epitaxial lateral overgrowth and chemical mechanical polishing

エピタキシャル横方向成長と化学機械研磨の組合せにより作製した高品質緩和平坦InGaNテンプレートの特性評価【JST・京大機械翻訳】

Author (8)： Okada Narihito (Yamaguchi University, 2-16-1 Tokiwadai Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Inomata Yuki (Yamaguchi University, 2-16-1 Tokiwadai Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Ikeuchi Hiroki (Yamaguchi University, 2-16-1 Tokiwadai Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Fujimoto Satoru (Yamaguchi University, 2-16-1 Tokiwadai Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Itakura Hideyuki (Yamaguchi University, 2-16-1 Tokiwadai Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Nakashima Shintaro (Yamaguchi University, 2-16-1 Tokiwadai Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Kawamura Rei (Yamaguchi University, 2-16-1 Tokiwadai Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Tadatomo Kazuyuki (Yamaguchi University, 2-16-1 Tokiwadai Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 512  Page： 147-151  Publication year： 2019 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We report the characterization...

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Thesaurus term： photoluminescence ,  *relaxation phenomenon ,  FWHM ,  *epitaxy ,  semiconductor ,  *characterization ,  pattern formation ,  *indium ,  *gallium nitride ,  rocking curve ,  multiple quantum well ,  facet
Semi thesaurus term： 過成長 ,  *InGaN ,  *横方向成長 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (5)： A3. Metal-organic vapor-phase epitaxy ,  B2. Semiconducting III-V materials ,  A3. Selective epitaxy ,  A2. Single-crystal growth ,  B1. Nitrides

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (11)： エピタキシャル ,  横方向成長 ,  化学機械研磨 ,  組合せ ,  作製 ,  高品質 ,  緩和 ,  平坦 ,  InGaN ,  テンプレート ,  特性評価