Art

J-GLOBAL ID：201902242960823246   Reference number：19A0396315

Manipulation of magnetization in Pd(100) ultrathin films with quantum well structure using modification of Schottky barrier potentials

Schottky障壁ポテンシャルの修正を用いた量子井戸構造を持つPd(100)超薄膜における磁化の操作【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Tanabe Hidetake (Department of Applied Physics and Physico-Informatics, Keio University, 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama 223-0061, Japan) ,  Sakuragi Shunsuke (Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa 277-8581, Japan) ,  Sato Tetsuya (Department of Applied Physics and Physico-Informatics, Keio University, 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama 223-0061, Japan)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 114  Issue： 5  Page： 052404-052404-4  Publication year： 2019 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The magnetization of Pd(100) u...

Register(free) or Log In to access     To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=19A0396315&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

Thesaurus term： film thickness ,  interface(surface) ,  magnetic moment ,  *Schottky barrier ,  *thin film ,  *quantum well ,  phase shift ,  voltage dependence ,  semiconductor ,  *ultrathin film ,  *palladium ,  substrate(plate) ,  ferromagnetism
Semi thesaurus term： バイアス電圧 ,  印加電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (6)： Schottky障壁 ,  ポテンシャル ,  量子井戸 ,  Pd ,  薄膜 ,  磁化