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J-GLOBAL ID：201902244018884364   Reference number：19A1521205

Strong impact of SrTiO₃/TiO₂ buffer layer on epitaxial growth and dielectric response of Ba_0.7Sr_0.3TiO₃ thin films on MgO

MgO上のSrTiO₃/TiO₂薄膜のエピタキシャル成長と誘電応答に及ぼすBa_0.7Sr_0.3TiO₃バッファ層の強い影響

Author (4)： KONDO Shinya (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YAMADA Tomoaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YOSHINO Masahito (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NAGASAKI Takanori (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 9  Page： 0902B1.1-0902B1.5  Publication year： Sep. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *magnesium oxide ,  *strontium titanate ,  *titanium oxide ,  multilayer film ,  *epitaxy ,  *response ,  strontium compound ,  titanate ,  barium compound ,  *buffer layer ,  perovskite type crystal ,  membrane and film ,  pulsed laser deposition ,  relaxation phenomenon ,  crystallinity ,  dielectric phase transition ,  transition temperature ,  permittivity ,  *titanium dioxide ,  *dielectric response ,  barium strontium titanate ,  ferroelectric phase transition ,  dielectric film
Semi thesaurus term： multilayer ,  *epitaxial growth ,  dielectric films ,  strain relaxation ,  crystallinity ,  phase transition temperature

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B)

Reference (34)：

• R. E. Stephens and I. H. Malitson, J. Res. Natl. Bur. Stand. 49, 249 (1952).
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• F. J. Walker, R. A. McKee, H. W. Yen, and D. E. Zelmon, Appl. Phys. Lett. 65, 1495 (1994).
• P. Girouard, P. Chen, Y. K. Jeong, Z. Liu, S. T. Ho, and B. W. Wessels, IEEE J. Quantum Electron. 53, 5200110 (2017).

Terms in the title (6)： MgO ,  TiO2 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長 ,  誘電応答 ,  バッファ層