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J-GLOBAL ID：201902246723288449   Reference number：19A0954144

Lifetimes of n- and p-Si substrates and effect of carrier type inversion under light irradiation on solar cell characteristics

n-およびp-Si基板のライフタイムと光照射時のキャリアタイプの反転による太陽電池特性への影響

Author (6)： TAKAUCHI KENJIRO (宮崎大) ,  TATEGAMI SHUYA (宮崎大) ,  MATSUDA NAOKI (宮崎大) ,  IKARI TETSUO (宮崎大) ,  NISHIOKA KENSUKE (宮崎大) ,  FUKUYAMA ATSUHIKO (宮崎大)
Material： 宮崎大学工学部紀要(Web)  (Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki (Web))
Issue： 47  Page： 73-76 (WEB ONLY)  Publication year： Jul. 2018 
JST Material Number： U0521A  ISSN： 0540-4924  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： N-type semiconductor ,  P-type semiconductor ,  *wafer ,  carrier mobility ,  *carrier lifetime ,  photoirradiation ,  *solar cell ,  silicon ,  carrier generation ,  numerical analysis ,  sunlight ,  Hall mobility
Semi thesaurus term： Si wafer ,  *silicon substrate

JST classification (1)： Solar cell  (NC03084O)

Terms in the title (7)： Si基板 ,  タイム ,  光照射 ,  キャリア ,  タイプ ,  反転 ,  太陽電池