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J-GLOBAL ID：201902247232642609   Reference number：19A0909293

Exposure characteristics of ternary copolymerization positive tone electron beam resist containing p-chloro-α-methylstyrene

p-クロロ-α-メチルスチレンを含む三元共重合ポジ型電子ビームレジストの曝露特性【JST・京大機械翻訳】

Author (6)： Tamaru Kenta (Yamaguchi Univ. (Japan)) ,  Ochiai Shunsuke (Yamaguchi Univ. (Japan)) ,  Kishimura Yukiko (Yamaguchi Univ. (Japan)) ,  Asada Hironori (Yamaguchi Univ. (Japan)) ,  Hoshino Ryoichi (Fine Material System Inc. (Japan)) ,  Iwakuma Minako (National Institute of Technology, Miyakonojo College (Japan))
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 10807  Page： 108070O-5  Publication year： 2018 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： p-Chloro-α-methylstyrene (PCMS...

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Thesaurus term： dry etching ,  ester ,  *electron beam resist ,  *electron beam ,  solubility (ratio) ,  optical property ,  *resist ,  *copolymerization ,  radiation dose ,  Molecular Weight ,  resolving power ,  exposure (photography) ,  dew ,  solution velocity ,  chemical constitution

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： p-クロロ-α-メチルスチレン ,  共重合 ,  電子ビームレジスト ,  曝露