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J-GLOBAL ID：201902248582310260   Reference number：19A2489036

Anneal mediated deep-level dynamics in GaInNAsSb dilute nitrides lattice-matched to GaAs

GaAsに格子整合したGaInAsSb希薄窒化物におけるアニール媒介深準位動力学【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Miyashita Naoya (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, Japan) ,  He Yilun (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, Japan) ,  Ahsan Nazmul (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, Japan) ,  Okada Yoshitaka (Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, Japan)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 126  Issue： 14  Page： 143104-143104-8  Publication year： 2019 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： This study focuses on the rela...

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Thesaurus term： *nitride ,  *annealing(heat treatment) ,  solar cell ,  quantum efficiency ,  *gallium arsenide ,  *lattice match ,  MBE growth ,  *deep level ,  spectrum ,  electroluminescence
Semi thesaurus term： バイアス依存性 ,  アドミタンス ,  非放射再結合 ,  ヘテロ構造 ,  アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Lattice defects in metals  (BK12030F) ,  Mechanical properties of solids in general  (BL01021C)

Terms in the title (6)： GaAs ,  格子整合 ,  窒化物 ,  アニール ,  深準位 ,  動力学