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J-GLOBAL ID：201902249909069241   Reference number：19A1673532

First principle study of formation mechanism of molybdenum-doped amorphous silica in MoO3/Si interface

MoO3/Si界面領域におけるモリブデンドープ非晶質酸化ケイ素層形成の第一性原理研究【JST・京大機械翻訳】

Author (6)： Chen Dongyun (上海大学理学院物理系,索朗光伏材料与器件R&D聯合実験室,上海 200444) ,  Gao Ming (上海大学理学院物理系,索朗光伏材料与器件R&D聯合実験室,上海 200444) ,  Li Yonghua (上海大学理学院物理系,索朗光伏材料与器件R&D聯合実験室,上海 200444) ,  Xu Fei (上海大学理学院物理系,索朗光伏材料与器件R&D聯合実験室,上海 200444) ,  Zhao Lei (上海大学理学院物理系,索朗光伏材料与器件R&D聯合実験室,上海 200444) ,  Ma Zhongquan (上海大学理学院物理系,索朗光伏材料与器件R&D聯合実験室,上海 200444)
Material： Wuli Xuebao  (Butsuri Gakuho)
Volume： 68  Issue： 10  Page： 82-88  Publication year： 2019 
JST Material Number： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： CHINESE (ZH)

Thesaurus term： *amorphous state ,  nucleation ,  doping ,  *silicon oxide ,  *interface(surface) ,  passivation ,  dangling bond ,  *molybdenum ,  thin film ,  density functional method ,  silicon dioxide ,  *silicon
Semi thesaurus term： 形成エネルギー ,  酸素空格子点 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Mathematical physics  (BA03000W)

Terms in the title (9)： Si ,  界面 ,  モリブデン ,  ドープ ,  非晶質 ,  酸化ケイ素 ,  層形成 ,  原理 ,  研究