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J-GLOBAL ID：201902251028797539   Reference number：19A1375662

3インチ4度オフ種結晶上へのSiC溶液成長における貫通転位変換とインクルージョン抑制の両立

Author (7)： UNNO TAKAMA (名古屋大) ,  ZHU Can (名古屋大) ,  HARADA SHUNTA (名古屋大) ,  KOIZUMI HARUHIKO (名古屋大) ,  TAGAWA MIHO (名古屋大) ,  UJIHARA TOORU (名古屋大) ,  UJIHARA TOORU (産業技術総合研)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 66th  Page： ROMBUNNO.11p-70A-2  Publication year： Feb. 25, 2019 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *seed crystal ,  angle ,  *silicon carbide ,  solution growth ,  *threading dislocation ,  *X-ray diffraction topography ,  morphology ,  surface structure ,  solvent ,  silicon ,  Titanium ,  doping ,  surface morphology ,  structure
Semi thesaurus term： off-angle ,  *4H-SiC ,  surface morphology

JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (7)： インチ ,  種結晶 ,  SiC ,  溶液成長 ,  貫通転位 ,  インク ,  ルー