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J-GLOBAL ID：201902251134249279   Reference number：19A2598091

酸化鉄エピタキシャル薄膜の低温合成と構造・価数制御

Author (7)： KAN DAISUKE (京大 化研) ,  SUGANO SATOSHI (京大 化研) ,  KOSUGI YOSHIHISA (京大 化研) ,  KOBAYASHI KENTO (京大 化研) ,  UEBAYASHI NAO (京大 化研) ,  KOGANEZAWA TOMOYUKI (JASRI/SPring-8) ,  SHIMAKAWA YUICHI (京大 化研)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 80th  Page： ROMBUNNO.18a-E311-3  Publication year： Sep. 04, 2019 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *iron oxide ,  substrate (plate) ,  Aluminum Oxide ,  *heteroepitaxy ,  iron complex ,  MOCVD ,  *evaporated film ,  *mist (pollutant) ,  liquid phase growth ,  *LPCVD ,  solution (liquid) ,  valence
Semi thesaurus term： liquid phase epitaxy

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (5)： 酸化鉄 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  低温合成 ,  価数