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J-GLOBAL ID：201902257259004836   Reference number：19A0156867

放電プラズマ焼結を用いて作製した緻密なSi-O-Cセラミックス

Author (5)： HANATANI RINTARO (大阪府大) ,  NARISAWA MASANORI (大阪府大) ,  INOUE HIROSHI (大阪府大) ,  SEGAWA HIROYO (物質・材料研究機構) ,  NISHIMURA TOSHIYUKI (物質・材料研究機構)
Material： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)
Volume： 31st  Page： ROMBUNNO.1PD05  Publication year： Aug. 27, 2018 
JST Material Number： L2240B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon compound ,  oxide ,  carbide ,  *spark plasma sintering ,  heating temperature ,  micro structure ,  relative density ,  *densification ,  electrical conductivity ,  thermal conductivity ,  Young's modulus ,  indentation hardness
Semi thesaurus term： *silicon oxycarbide ,  sintering temperature ,  microstructure ,  Vickers hardness

JST classification (2)： Manufacturing of ceramics and ceramic whiteware  (YC03020V) ,  Properties of ceramics and ceramic whiteware  (YC03030G)

Terms in the title (4)： 放電プラズマ焼結 ,  作製 ,  Si ,  セラミックス