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J-GLOBAL ID：201902259094893651   Reference number：19A2619748

THz-TDSEによるイオン注入した4H-SiCの電気特性評価

Author (8)： SATO KIICHI (立命館大) ,  FUJII TAKASHI (立命館大) ,  FUJII TAKASHI (日邦プレシジョン) ,  ARAKI TSUTOMU (立命館大) ,  MORI SHIN'ICHIRO (立命館大) ,  ISHIJI KOTARO (九州シンクロトロン光研究セ) ,  IWAMOTO TOSHIYUKI (日邦プレシジョン) ,  SUGIE RYUICHI (東レリサーチセ)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 80th  Page： ROMBUNNO.20p-E311-10  Publication year： Sep. 04, 2019 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *spectrum ,  *ellipsometry ,  ion implantation ,  silicon carbide ,  *carrier density ,  *carrier mobility ,  *terahertz wave spectrum
Semi thesaurus term： *spectroscopic ellipsometry ,  4H-SiC

JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (4)： イオン注入 ,  4H-SiC ,  電気特性 ,  評価