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J-GLOBAL ID：201902264439794349   Reference number：19A1402683

スパッタ法による高配向Bi-Te薄膜の成膜と電子状態解析

Author (8)： SAITO YUTA (産業技術総合研) ,  FONS Paul (産業技術総合研) ,  MAKINO KOTARO (産業技術総合研) ,  MITROFANOV Kirill V. (産業技術総合研) ,  UESUGI FUMIHIKO (物質・材料研究機構) ,  TAKEGUCHI MASAKI (物質・材料研究機構) ,  KOLOBOV Alexander V. (産業技術総合研) ,  TOMINAGA JUNJI (産業技術総合研)
Material： 日本金属学会講演概要(CD-ROM)  (Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
Volume： 164th  Page： ROMBUNNO.369  Publication year： Mar. 06, 2019 
JST Material Number： S0988B  ISSN： 2433-3093  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *bismuth base alloy ,  tellurium containing alloy ,  *metallic thin film ,  crystal orientation ,  electronic state ,  *sputtering

JST classification (1)： Metallic thin films  (BK14030T)

Terms in the title (8)： スパッタ法 ,  配向 ,  BI ,  Te ,  薄膜 ,  成膜 ,  電子状態 ,  解析