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J-GLOBAL ID：201902271394105189   Reference number：19A1369463

ソルボサーマル法による(Bi₂Se₃)_x(Bi₂Te₃)_1-xナノプレート薄膜の作製及び第一原理計算による物性評価

Author (7)： KIMURA YUKI (東海大 大学院) ,  TSUDA SHUN (東海大 大学院) ,  NAKAZATO NOBUHIRO (東海大 大学院) ,  NAMIKI HIROMASA (都産技研) ,  OTA YUICHI (都産技研) ,  TOMITA KOJI (東海大 大学院) ,  TAKASHIRI MASAYUKI (東海大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 66th  Page： ROMBUNNO.9a-PA1-7  Publication year： Feb. 25, 2019 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thermoelectric material ,  thermoelectric conversion ,  thermoelectric device ,  ab initio method ,  first principle ,  selenide(chalcogenide) ,  chemical synthesis ,  telluride(chalcogenide) ,  *nanostructure ,  bismuth compound ,  *semiconductor thin film
Semi thesaurus term： solvothermal method ,  *nanoplates ,  *first principles calculation

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (6)： ソルボサーマル法 ,  ナノプレート ,  薄膜 ,  作製 ,  第一原理計算 ,  物性評価