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J-GLOBAL ID：201902272212819830   Reference number：19A2422382

Radiative Recombination of Bound Excitons in MoSe₂:I₂ Layered Crystals

MoSe_2:I_2層状結晶における束縛励起子の放射再結合【JST・京大機械翻訳】

Author (8)： Siminel N. (Institute of Applied Physics, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Nedelea V. (Institute of Applied Physics, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Nedelea V. (Moldova State University, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Sushkevich K. (Institute of Applied Physics, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Sushkevich K. (Moldova State University, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Siminel A. (Institute of Applied Physics, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Micu A. (Institute of Applied Physics, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Kulyuk L. (Institute of Applied Physics, Chisinau, Republic of Moldova)
Material： IFMBE Proceedings
Volume： 77  Page： 279-283  Publication year： 2020 
JST Material Number： W5069A  ISSN： 1680-0737  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The steady-state and time-reso...

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Thesaurus term： wide band ,  spectrum ,  single crystal ,  luminescence ,  *exciton ,  *recombination(connection) ,  channel ,  temperature dependence ,  rate theory ,  iodine ,  optical pumping ,  lattice defect
Semi thesaurus term： 非放射再結合 ,  定常状態 ,  *放射再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (6)： Transition metal dichalcogenides ,  Molybdenum diselenide ,  Layered crystals ,  Intercalation ,  Luminescence ,  Bound excitons

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (2)： 束縛励起子 ,  放射再結合