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J-GLOBAL ID：201902273319134519   Reference number：19A0954145

Effect of Concentrated Light Irradiation on Hall Mobility of Si and GaAs Substrates for solar cell application

集光照射によるSiおよびGaAs基板のHall移動度変化と太陽電池特性への影響

Author (6)： MATSUDA NAOKI (宮崎大) ,  TATEGAMI SHUYA (宮崎大) ,  TAKAUCHI KENJIRO (宮崎大) ,  IKARI TETSUO (宮崎大) ,  NISHIOKA KENSUKE (宮崎大) ,  FUKUYAMA ATSUHIKO (宮崎大)
Material： 宮崎大学工学部紀要(Web)  (Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki (Web))
Issue： 47  Page： 77-82 (WEB ONLY)  Publication year： Jul. 2018 
JST Material Number： U0521A  ISSN： 0540-4924  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： gallium arsenide ,  substrate (plate) ,  *Hall mobility ,  *wafer ,  photoirradiation ,  focusing (light) ,  *solar cell ,  silicon ,  doping ,  carrier generation ,  numerical calculation ,  electron transfer ,  impurity ,  photoproduction ,  Sunlight ,  *Si wafer ,  *gallium arsenide substrate
Semi thesaurus term： *GaAs substrate ,  *silicon substrate

JST classification (1)： Solar cell  (NC03084O)

Terms in the title (5)： 集光照射 ,  Si ,  GaAs基板 ,  Hall移動度 ,  太陽電池