Art

J-GLOBAL ID：201902273464231710   Reference number：19A0890927

Single-electron pumping in single-common-gate quadruple-dot devices with asymmetric gate capacitances

非対称ゲート容量を持つ単一共通ゲート4重ドット素子における単一電子ポンピング

Author (2)： IMAI Shigeru (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ITO Yuma (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： 3  Page： 034001.1-034001.8  Publication year： Mar. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *asymmetry ,  *capacity ,  *electron ,  voltage ,  excitation(physics) ,  *semiconductor device
Semi thesaurus term： asymmetry ,  *gate capacity ,  *single electron ,  gate voltage ,  charge pumping ,  bias voltage ,  *single electron device

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (32)：

• H. Pothier, P. Lafarge, C. Urbina, D. Esteve, and M. H. Devoret, Europhys. Lett. 17, 249 (1992).
• Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, Y. Nakajima, S. Horiguchi, K. Murase, and M. Tabe, Electron. Lett. 31, 136 (1995).
• L. P. Kouwenhoven, A. T. Johnson, N. C. van der Vaart, C. J. P. M. Harmans, and C. T. Foxon, Phys. Rev. Lett. 67, 1626 (1991).
• A. Fujiwara, N. M. Zimmerman, Y. Ono, and Y. Takahashi, Appl. Phys. Lett. 84, 1323 (2004).
• A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and Y. Ono, Appl. Phys. Lett. 92, 042102 (2008).

Terms in the title (6)： 非対称 ,  ゲート容量 ,  ゲート ,  ドット ,  単一電子 ,  ポンピング