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J-GLOBAL ID：201902275904975966   Reference number：19A0593141

Si(111)-√<span style=text-decoration:overline>7</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span>-In表面における静電遮蔽効果のSTM観測

Author (4)： YOSHIZAWA SHUNSUKE (物質・材料研究機構) ,  SAGISAKA KEISUKE (物質・材料研究機構) ,  FUJITA DAISUKE (物質・材料研究機構) ,  UCHIHASHI TAKASHI (物質・材料研究機構)
Material： 日本表面真空学会学術講演会講演要旨集  (日本表面真空学会学術講演会要旨集)
Volume： 2018  Page： 32  Publication year： Nov. 19, 2018 
JST Material Number： L1308B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon ,  *indium ,  *surface ,  phase transition ,  superconductivity ,  *electrostatic shielding ,  *scanning tunneling microscope ,  *electronic structure ,  density functional method
Semi thesaurus term： *metal surface ,  superconducting transition ,  STM (microscope) ,  *surface electronic structure ,  DFT calculation

JST classification (1)： Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Terms in the title (4)： Si ,  静電遮蔽 ,  STM ,  観測