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J-GLOBAL ID：201902276994877330   Reference number：19A2566021

Influence of gate drive circuit for power device on EMI noise characteristics in a phase-leg topology

位相脚トポロジーにおけるEMI雑音特性に及ぼすパワーデバイスのためのゲート駆動回路の影響【JST・京大機械翻訳】

Author (2)： Ibuchi Takaaki (Div. of Electrical, Electronic and Information Eng., Graduate school of Engineering, Osaka University, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Funaki Tsuyoshi (Div. of Electrical, Electronic and Information Eng., Graduate school of Engineering, Osaka University, Osaka, 565-0871, Japan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2019  Issue： EMC Europe  Page： 321-326  Publication year： 2019 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Fast and high-frequency switch...

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Thesaurus term： *gate circuit ,  converter ,  *noise(signal) ,  band gap ,  gallium nitride ,  *topology ,  semiconductor device ,  electromagnetic compatibility(interference) ,  *phase(topology) ,  silicon carbide ,  *noise characteristic ,  high speed ,  HF ,  electric power
Semi thesaurus term： ハーフブリッジ , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Graphic and image processing in general  (JE04010I) ,  Speach processing  (JE05000E)

Terms in the title (7)： 位相 ,  脚 ,  トポロジー ,  EMI ,  雑音特性 ,  パワーデバイス ,  ゲート駆動回路