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J-GLOBAL ID：201902277380348803   Reference number：19A1269971

Plasma-Induced Electronic Defects: Generation and Annihilation Kinetics in Hydrogenated Amorphous Silicon

プラズマ誘起電子欠陥:水素化非晶質シリコンにおける生成と消滅動力学【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Nunomura Shota (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Sakata Isao ,  Matsubara Koji
Material： Physical Review Applied
Volume： 10  Issue： 5  Page： 054006  Publication year： 2018 
JST Material Number： W3691A  ISSN： 2331-7019  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Plasma processing is a key tec...

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Thesaurus term： *amorphous silicon ,  ion collision ,  *silicon ,  activation energy ,  *plasma ,  *hydrogenation ,  radical ,  micro structure ,  dangling bond ,  plasma treatment ,  rate equation ,  exponential function ,  photocurrent ,  in situ measurement
Semi thesaurus term： ポストアニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： プラズマ ,  誘起 ,  電子 ,  欠陥 ,  水素化 ,  非晶質シリコン ,  動力学