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J-GLOBAL ID：201902278254773653   Reference number：19A1402285

SiC溶液成長過程における転位変換現象を利用した高品質結晶成長

Author (11)： HARADA SHUNTA (名大 未来研) ,  HARADA SHUNTA (名大 院) ,  SHU SAN (名大 未来研) ,  ENDO TOMOKI (名大 院) ,  KOIZUMI HARUHIKO (名大 未来研) ,  NARUMI HIROTO (名大 VBL) ,  TAGAWA MIHO (名大 未来研) ,  TAGAWA MIHO (名大 院) ,  UJIHARA TOORU (名大 未来研) ,  UJIHARA TOORU (名大 院) ,  UJIHARA TOORU (産総研 GaN-OIL)
Material： 日本金属学会講演概要(CD-ROM)  (Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
Volume： 164th  Page： ROMBUNNO.S2.7  Publication year： Mar. 06, 2019 
JST Material Number： S0988B  ISSN： 2433-3093  Document type： Proceedings
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  *solution growth ,  *crystal growth ,  X-ray diffraction topography ,  defect ,  threading dislocation ,  bottom face ,  quality ,  dislocation(crystal) ,  seed crystal ,  dislocation density ,  single crystal ,  crucible ,  high quality ,  graphite crucible ,  lattice defect
Semi thesaurus term： 転位変換現象

JST classification (2)： Manufacturing of ceramics and ceramic whiteware  (YC03020V) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (7)： SiC ,  溶液成長 ,  過程 ,  転位 ,  現象 ,  高品質 ,  結晶成長