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J-GLOBAL ID：201902283181573671   Reference number：19A1742926

SiCの加工メカニズムに関する分子動力学シミュレーション-3C-および4H-SiCの塑性変形における温度特性の解明-

Author (6)： IMAMURA YUSUKE (関西大 大学院) ,  SAITO KEN'ICHI (関西大) ,  NISHIMURA KENJI (産業技術総合研) ,  SATO TOMOHIRO (関西大) ,  TAKUMA MASANORI (関西大) ,  TAKAHASHI YOSHIMASA (関西大)
Material： マルチスケール材料力学シンポジウム講演論文集(CD-ROM)
Volume： 4th  Page： ROMBUNNO.P31  Publication year： May. 24, 2019 
JST Material Number： L3074C  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  working and processing ,  Computer Simulation ,  *plastic deformation ,  characteristic ,  molecular dynamics ,  single crystal ,  nanoindentation ,  temperature dependence ,  power transistor ,  indenter ,  cubic system ,  hexagonal system ,  curve ,  medium temperature ,  high temperature ,  elastic deformation ,  dislocation(crystal) ,  dislocation density ,  Molecular Dynamics Simulation ,  load - displacement curve ,  normal temperature ,  *3C-silicon carbide ,  pop-in phenomenon ,  computer application ,  utilization ,  lattice defect
Semi thesaurus term： *3C-SiC ,  *4H-SiC ,  temperature characteristic ,  power semiconductor ,  pop-in

JST classification (1)： Mechanical properties of solids in general  (BL01021C)

Terms in the title (6)： SiC ,  メカニズム ,  分子動力学シミュレーション ,  4H-SiC ,  塑性変形 ,  温度特性