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J-GLOBAL ID：201902285739553429   Reference number：19A1451067

A Review of Proximity Gettering Technology for CMOS Image Sensors Using Hydrocarbon Molecular Ion Implantation

炭化水素分子イオン注入を用いたCMOSイメージセンサの近接ゲッタリング技術のレビュー

Author (8)： KURITA Kazunari (SUMCO, Saga, JPN) ,  KADONO Takeshi (SUMCO, Saga, JPN) ,  OKUYAMA Ryousuke (SUMCO, Saga, JPN) ,  SHIGEMATSU Satoshi (SUMCO, Saga, JPN) ,  HIROSE Ryo (SUMCO, Saga, JPN) ,  ONAKA-MASADA Ayumi (SUMCO, Saga, JPN) ,  KOGA Yoshihiro (SUMCO, Saga, JPN) ,  OKUDA Hidehiko (SUMCO, Saga, JPN)
Material： Sensors and Materials  (Sens Mater)
Volume： 31  Issue： 6 (2)  Page： 1939-1955  Publication year： 2019 
JST Material Number： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *hydrocarbon ,  *ion ,  *ion implantation ,  *image sensor ,  *gettering ,  wafer ,  defect density ,  dark current ,  semiconductor process
Semi thesaurus term： *CMOS Image Sensor ,  Si wafer ,  *molecular ion

JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  General  (NC03161C)

Reference (57)：

• T. Kuroda: Essential Principles of Image Sensors (CRC Press, Tokyo, 2014) Chap. 5, p. 55.
• H. Takahashi: CMOS Image Sensor (Corona, Tokyo, 2012) Chap. 3, p. 123 (in Japanese).
• K. Graff: Metal Impurities in Silicon-Devices Fabrication (Springer, Berlin/Heidelberg, 2000) p. 20. https://doi.org/10.1007/978-3-642-57121-3
• C. Claeys and E. Simoen: Metal Impurities in Silicon and Germanium-Based Technologies (Springer, Switzerland, 2018) Chap. 7, p. 332. https://doi.org/10.1007/978-3-319-93925-4
• E. R. Weber: Appl. Phys. A 30 (1983) 1. https://doi.org/10.1007/BF00617708

Terms in the title (6)： 炭化 ,  水素分子イオン ,  注入 ,  CMOSイメージセンサ ,  ゲッタリング ,  レビュー