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J-GLOBAL ID：201902291263689767   Reference number：19A1873423

Quantitative analysis of lattice plane microstructure in the growth direction of a modified Na-flux GaN crystal using nanobeam X-ray diffraction

ナノビームX線回折を用いた修正NaフラックスGaN結晶の成長方向における格子面微細構造の定量分析

Author (9)： SHIDA Kazuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMAMOTO Nozomi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TOHEI Tetsuya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  IMANISHI Masayuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI Yusuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUMITANI Kazushi (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst. (JASRI), Hyogo, JPN) ,  IMAI Yasuhiko (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst. (JASRI), Hyogo, JPN) ,  KIMURA Shigeru (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst. (JASRI), Hyogo, JPN) ,  SAKAI Akira (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： SC  Page： SCCB16.1-SCCB16.6  Publication year： Jun. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： X-ray diffraction ,  *gallium nitride ,  flux growth ,  compound semiconductor ,  *LPE growth ,  structure ,  crystal structure ,  dislocation(crystal) ,  *micro structure ,  single crystal
Semi thesaurus term： XRD ,  *GAN ,  liquid phase epitaxial growth ,  synchrotron x-ray diffraction ,  local structure

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (31)：

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• C. H. Wang et al., Appl. Phys. Lett. 99, 171106 (2011).
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Terms in the title (9)： ナノビーム ,  X線回折 ,  Na ,  フラックス ,  GaN ,  結晶 ,  成長方向 ,  微細構造 ,  定量分析