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J-GLOBAL ID：201902292208974908   Reference number：19A1376433

非結晶酸化物半導体を記憶素子として用いたニューロモロフィックデバイス

Author (10)： SUGISAKI SUMIO (龍谷大 理工) ,  TANAKA RYO (龍谷大 理工) ,  KURASAKI AYATA (龍谷大 理工) ,  TAKISHITA YUTA (龍谷大 理工) ,  TANINO KENTA (龍谷大 理工) ,  MATSUDA TOKIYOSHI (龍谷大 革新的材料プロセス研究セ) ,  NAKASHIMA YASUHIKO (奈良先端科学技術大学院大) ,  KIMURA MUTSUMI (龍谷大 理工) ,  KIMURA MUTSUMI (龍谷大 革新的材料プロセス研究セ) ,  KIMURA MUTSUMI (奈良先端科学技術大学院大)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 66th  Page： ROMBUNNO.12a-PA4-2  Publication year： Feb. 25, 2019 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： amorphous state ,  *compound semiconductor ,  *memory element ,  *neurocomputer ,  electrical property ,  variation ,  current-voltage characteristic ,  neural network (network) ,  oxide semiconductor
Semi thesaurus term： resistance change ,  voltage current characteristic ,  electrical property ,  amorphous

JST classification (2)： Electronic properties in general  (BM01000S) ,  Neurocomputers  (JC06010Q)

Terms in the title (3)： 非結晶 ,  酸化物半導体 ,  記憶素子