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J-GLOBAL ID：201903002119988158

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

Inventor： 市川 心人 ,  中田 勝之 ,  三谷 誠司 ,  介川 裕章 ,  宝野 和博 ,  大久保 忠勝
Applicant, Patent owner： TDK株式会社 ,  国立研究開発法人物質・材料研究機構
Agent (4)： 棚井 澄雄 ,  荒 則彦 ,  飯田 雅人 ,  荻野 彰広
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019015965
Publication number (International publication number)：2019145787
Application date： Jan. 31, 2019
Publication date： Aug. 29, 2019
Summary：

【課題】トンネルバリア層が安定的に陽イオン不規則化スピネル構造をとる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】この磁気抵抗効果素子は、第1強磁性層と、第2強磁性層と、これらの間に挟持されたトンネルバリア層と、を備え、前記トンネルバリア層は、MgxAl1-x(0≦x<1)の酸化物であり、前記トンネルバリア層の酸素の量は、前記酸化物が規則化したスピネル構造を持つ完全酸化状態における酸素の量よりも低い。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1強磁性層と、第2強磁性層と、これらの間に挟持されたトンネルバリア層と、を備え、 前記トンネルバリア層は、MgxAl1-x(0≦x<1)の酸化物であり、 前記トンネルバリア層の酸素の量は、前記酸化物が規則化したスピネル構造を持つ完全酸化した完全酸化状態における酸素の量よりも低い、磁気抵抗効果素子。

IPC (2)：

H01L 43/10 ,  H01L 43/08

FI (2)：

H01L43/10 ,  H01L43/08 Z

F-Term (20)：

5F092AA05 ,  5F092AB01 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB34 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BC07 ,  5F092BC42 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092CA14 ,  5F092CA15 ,  5F092CA25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 磁気抵抗効果素子およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-016450   Applicant：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド
• 強磁性トンネル接合体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-228904   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構

Cited by examiner (2)

• 強磁性トンネル接合体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-228904   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
• 磁気抵抗効果素子およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-016450   Applicant：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド