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J-GLOBAL ID：201903003077382005

受光素子及び近赤外光検出器

Inventor： 竹内 裕一 ,  波多野 卓史 ,  石川 靖彦
Applicant, Patent owner： コニカミノルタ株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
Agent (1)： 特許業務法人光陽国際特許事務所
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2017026191
Publication number (International publication number)：WO2018021127
Application date： Jul. 20, 2017
Publication date： Feb. 01, 2018
Summary：

本発明の課題は、ゲルマニウム(Ge)の吸収層を有し、当該吸収層において受光感度の大きな近赤外光を自由空間から効率的に受光でき、生産性が高く、かつ製造コストの低い受光素子、及び当該受光素子を備えた近赤外光検出器を提供することである。本発明の受光素子10は、基板20上に、シリコン(Si)を含有する増幅層30、ゲルマニウム(Ge)を含有する吸収層40がこの順に積層されており、増幅層30が、n型にドープされたn-Si層31と、p型にドープされたp-Si層33とを基板20上に少なくともこの順に有しており、吸収層40が、p型にドープされたp-Ge層42を少なくとも有し、吸収層40の層厚Lが、下記式(1)を満たす。 式(1):L<(ln0.8)/α〔αは、受光対象とする光の波長におけるゲルマニウム(Ge)の吸収係数を表す。〕

Claim (excerpt)：

基板上に、シリコン(Si)を含有する増幅層、ゲルマニウム(Ge)を含有する吸収層がこの順に積層されており、 前記増幅層が、n型にドープされたn-Si層と、p型にドープされたp-Si層とを前記基板上に少なくともこの順に有しており、 前記吸収層が、p型にドープされたp-Ge層を少なくとも有し、当該吸収層の層厚Lが、下記式(1)を満たす受光素子。 式(1):L<(ln0.8)/α 〔αは、受光対象とする光の波長におけるゲルマニウム(Ge)の吸収係数を表す。〕

IPC (2)：

H01L 31/107 ,  G01J 1/02

FI (2)：

H01L31/10 B ,  G01J1/02 B

F-Term (26)：

2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA02 ,  2G065BA33 ,  2G065BA34 ,  2G065DA15 ,  5F849AA08 ,  5F849AB03 ,  5F849BA01 ,  5F849BA03 ,  5F849BA04 ,  5F849BA18 ,  5F849BB07 ,  5F849CB03 ,  5F849CB09 ,  5F849CB10 ,  5F849EA03 ,  5F849EA04 ,  5F849GA05 ,  5F849HA03 ,  5F849HA04 ,  5F849HA09 ,  5F849KA11 ,  5F849LA01 ,  5F849XB15 ,  5F849XB38