エッチング方法およびエッチング装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高山宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017128222
Publication number (International publication number)：2019012759
Application date： Jun. 30, 2017
Publication date： Jan. 24, 2019
Summary：

【課題】専用の装置を用いることなく、かつ表面酸化を生じさせることなく、窒化シリコン(SiN)膜を選択的にエッチングする。【解決手段】窒化シリコン膜を選択的にエッチングする方法は、窒化シリコン膜を有する被処理基板を処理空間に配置する第1の工程と、処理空間にHとFを含むガスを導入する第2の工程と、処理空間に不活性ガスのラジカルを選択的に導入する第3の工程とを有する。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

窒化シリコン膜を選択的にエッチングする方法であって、前記窒化シリコン膜を有する被処理基板を処理空間に配置する第1の工程と、前記処理空間にHとFを含むガスを導入する第2の工程と、前記処理空間に不活性ガスのラジカルを選択的に導入する第3の工程とを有する、方法。

IPC (1)：

H01L 21/306

FI (2)：

H01L21/302 301 , H01L21/302 101C

F-Term (32)：

2G084AA02 , 2G084AA13 , 2G084CC12 , 2G084CC13 , 2G084CC33 , 2G084DD03 , 2G084DD13 , 2G084DD55 , 2G084FF19 , 2G084FF31 , 2G084FF36 , 5F004AA05 , 5F004BA03 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB25 , 5F004BB28 , 5F004BC05 , 5F004BC06 , 5F004CA04 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA20 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DB07 , 5F004EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

不活性ガスから生成される準安定ガスを使用する原子層エッチング
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2014-521657 Applicant：ラムリサーチコーポレーション
半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-130232 Applicant：株式会社日立製作所
エッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2015-019114 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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