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J-GLOBAL ID：201903004107173755

マグネトロンスパッタリング装置、及び、磁場形成装置

Inventor： 本村 大成 ,  田原 竜夫 ,  笠嶋 悠司 ,  上杉 文彦
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (2)： 松尾 憲一郎 ,  市川 泰央
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2017043185
Publication number (International publication number)：WO2018101444
Application date： Nov. 30, 2017
Publication date： Jun. 07, 2018
Summary：

マグネトロンスパッタリング装置の構成を簡略化する。 マグネトロンスパッタリング装置は、真空チャンバ、スパッタリングターゲット、内環状磁石、外環状磁石およびヨークを具備する。スパッタリングターゲットは、真空チャンバ内に配置される。内環状磁石は、スパッタリングターゲットの裏面側に配置されてスパッタリングターゲットの中央部および外縁部の近傍においてそれぞれ異なる極性の磁極を備えることによりスパッタリングターゲットの中央部および外縁部と交差してスパッタリングターゲットの表面側に膨出するループ状磁束を形成する。外環状磁石は、スパッタリングターゲットの裏面側における内環状磁石の外側に配置されてスパッタリングターゲットの外縁近傍におけるループ状磁束を調整する。ヨークは、内環状磁石および外環状磁石を保持する。

Claim (excerpt)：

真空チャンバと、 前記真空チャンバ内に配置されるスパッタリングターゲットと、 前記スパッタリングターゲットの裏面側に配置されて前記スパッタリングターゲットの中央部および外縁部の近傍においてそれぞれ異なる極性の磁極を備えることにより前記スパッタリングターゲットの中央部および外縁部と交差して前記スパッタリングターゲットの表面側に膨出するループ状磁束を形成する内環状磁石と、 前記スパッタリングターゲットの裏面側における前記内環状磁石の外側に配置されて前記スパッタリングターゲットの外縁近傍における前記ループ状磁束を調整する外環状磁石と、 前記内環状磁石および前記外環状磁石を保持するヨークと を具備するマグネトロンスパッタリング装置。

IPC (2)：

C23C 14/35 ,  H05H 1/46

FI (2)：

C23C14/35 A ,  H05H1/46 A

F-Term (16)：

2G084AA04 ,  2G084BB23 ,  2G084BB31 ,  2G084CC02 ,  2G084CC33 ,  2G084DD14 ,  2G084DD22 ,  2G084FF21 ,  2G084FF27 ,  2G084FF28 ,  2G084FF31 ,  2G084FF38 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029DC42 ,  4K029DC43