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J-GLOBAL ID：201903004915983462

パターンの製造方法および半導体装置の製造方法

Inventor： 玉置 信之 ,  キム ユナ
Applicant, Patent owner： 国立大学法人北海道大学
Agent (1)： 鷲田 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017222951
Publication number (International publication number)：2019096673
Application date： Nov. 20, 2017
Publication date： Jun. 20, 2019
Summary：

【課題】欠陥が少なく、高解像度のパターンを形成しうるパターンの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明のパターンの製造方法は、ジアセチレン誘導体を含む光硬化性組成物からなる有機薄膜を形成する工程と、前記有機薄膜に、凸パターンを有する型の凸パターンを加圧接触させる工程と、前記有機薄膜に光を照射して、前記凸パターンを加圧接触させた領域の前記有機薄膜を硬化させる工程と、前記凸パターンと加圧接触させていない領域の前記有機薄膜を除去して、前記有機薄膜の硬化物からなるパターンを得る工程とを有する。【選択図】図1B

Claim (excerpt)：

ジアセチレン誘導体を含む光硬化性組成物からなる有機薄膜を形成する工程と、 前記有機薄膜に、凸パターンを有する型の凸パターンを加圧接触させる工程と、 前記有機薄膜に光を照射して、前記凸パターンを加圧接触させた領域の前記有機薄膜を硬化させる工程と、 前記凸パターンと加圧接触させていない領域の前記有機薄膜を除去して、前記有機薄膜の硬化物からなるパターンを得る工程と、 を有する、 パターンの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  C08F 2/46 ,  C08F 38/00

FI (3)：

H01L21/30 502D ,  C08F2/46 ,  C08F38/00

F-Term (28)：

4J011CA01 ,  4J011CA02 ,  4J011CA05 ,  4J011CA08 ,  4J011CC10 ,  4J011QA21 ,  4J011QA38 ,  4J011QA44 ,  4J011RA03 ,  4J011RA06 ,  4J011RA07 ,  4J011RA09 ,  4J011RA10 ,  4J011TA02 ,  4J011TA03 ,  4J011TA08 ,  4J011UA01 ,  4J011VA01 ,  4J011WA01 ,  4J100AT05P ,  4J100BA34P ,  4J100BA37P ,  4J100FA17 ,  4J100JA38 ,  5F146AA33 ,  5F146AA34 ,  5F146CA02 ,  5F146CA08