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J-GLOBAL ID：201903015371468838

超音波発生デバイス

Inventor： 篠田 裕之 ,  神垣 貴晶 ,  二宮 悠基
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 東京大学
Agent (1)： 成瀬 重雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017148364
Publication number (International publication number)：2019029862
Application date： Jul. 31, 2017
Publication date： Feb. 21, 2019
Summary：

【課題】高効率な超音波トランスデューサ及びこれを用いた超音波デバイスを提供する。【解決手段】表面電極10は、導電層11と、導電層11の背面側に配置された絶縁層12とを備える。背面電極20は、複数の支持突起21と、通気口22とを備える。複数の支持突起21は、絶縁層12の背面側に配置されており、かつ絶縁層12に向けて突出するように形成されている。複数の支持突起21の間には、表面電極10の変形を可能とするための間隙23が形成されている。通気口22は、内部空気層30と、背面電極20の背面側における外部空気層40とを連通させる。支持突起21は、表面電極10と背面電極20との間にバイアス電圧が印加された状態において、絶縁層12に当接する構成となっている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

表面電極と、この表面電極の背面側に対向して配置された背面電極と、前記表面電極と前記背面電極との間に形成された内部空気層とを備えており、 前記表面電極は、導電層と、前記導電層の背面側に配置された絶縁層とを備えており、 前記背面電極は、複数の支持突起と、通気口とを備えており、 前記複数の支持突起は、前記絶縁層の背面側に配置されており、かつ前記絶縁層に向けて突出するように形成されており、 前記複数の支持突起の間には、前記表面電極の変形を可能とするための間隙が形成されており、 前記通気口は、前記内部空気層と、前記背面電極の背面側における外部空気層とを連通させる構成となっており、 さらに、前記支持突起は、前記表面電極と前記背面電極との間にバイアス電圧が印加された状態において、前記絶縁層に当接する構成となっている ことを特徴とする超音波トランスデューサ。

IPC (3)：

H04R 19/00 ,  H04R 3/00 ,  H04R 1/40

FI (3)：

H04R19/00 330 ,  H04R3/00 330 ,  H04R1/40 330

F-Term (5)：

5D019AA21 ,  5D019AA26 ,  5D019DD01 ,  5D019FF01 ,  5D019GG11