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J-GLOBAL ID：201903016593207656

探針の製造方法及び探針

Inventor： 西 正之 ,  平尾 一之 ,  寺西 大介 ,  板坂 浩樹 ,  中 庸行 ,  奥野 義人 ,  柏木 伸介 ,  中田 靖
Applicant, Patent owner： 国立大学法人京都大学 ,  株式会社堀場製作所
Agent (2)： 河野 英仁 ,  河野 登夫
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2017024240
Publication number (International publication number)：WO2018003991
Application date： Jun. 30, 2017
Publication date： Jan. 04, 2018
Summary：

探針の製造を簡単にし、金属構造体の大きさ及び形状を適切に制御することができる探針の製造方法、及び探針を提供する。 Si製のカンチレバー(11)からは針状体(13)が突出している。また、カンチレバー(11)の背面にはSiよりもフェルミ準位が高いアルミニウム(第1の金属)がコーティングされている。第2の金属であるAgのイオンを含有する硝酸銀水溶液(3)にカンチレバー(11)を浸漬させる。アルミニウムの存在によってSiの電子が硝酸銀水溶液(3)へ流出し、針状体(13)の先端にAgナノ構造体が析出する。針状体(13)の先端にAgナノ構造体が固着した先端増強ラマン散乱用の探針(12)が製造される。硝酸銀水溶液(3)の濃度及びカンチレバー(11)を硝酸銀水溶液(3)に浸漬させる時間を調整することにより、Agナノ構造体の大きさ及び形状を適切に制御することができる。

Claim (excerpt)：

カンチレバーから突出した探針を製造する方法であって、 半導体で構成され、該半導体よりもフェルミ準位が高い第1の金属で一部がコーティングされており、他の一部から針状体が突出しているカンチレバーを、第2の金属のイオンを含有する溶液に浸漬させることにより、前記針状体の先端に前記第2の金属の構造体が析出した探針を製造すること を特徴とする探針の製造方法。

IPC (4)：

G01N 21/65 ,  G01Q 70/18 ,  C23C 18/42 ,  C23C 18/31

FI (4)：

G01N21/65 ,  G01Q70/18 ,  C23C18/42 ,  C23C18/31 A

F-Term (15)：

2G043AA03 ,  2G043CA05 ,  2G043FA02 ,  2G043HA01 ,  2G043HA09 ,  2G043JA01 ,  2G043KA09 ,  4K022AA02 ,  4K022AA05 ,  4K022AA41 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022BA18 ,  4K022DA03