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J-GLOBAL ID：201903020636401190

レジストパターン形成方法

Inventor： 堤 隆志 ,  蒲田 耕平
Applicant, Patent owner： 日本ゼオン株式会社
Agent (4)： 杉村 憲司 ,  杉村 光嗣 ,  寺嶋 勇太 ,  結城 仁美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018055193
Publication number (International publication number)：2019168550
Application date： Mar. 22, 2018
Publication date： Oct. 03, 2019
Summary：

【課題】高い解像性と、パターン欠陥の発生抑制とを両立することができる、レジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明のレジストパターン形成方法は、所定の単量体単位を有するとともに、Gx値が、0.1以下である重合体と、溶剤とを含む、ポジ型レジスト組成物を用いて主鎖切断型のポジ型レジスト膜を形成する工程と、ポジ型レジスト膜を露光する工程と、露光されたポジ型レジスト膜を現像液と接触させて現像し、現像膜を得る現像工程と、を含み、現像液が、炭素数7以上のケトン系溶剤である、ことを特徴とする。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(I):

IPC (5)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/20 ,  C08F 220/12 ,  C08F 212/12

FI (6)：

G03F7/039 501 ,  G03F7/32 ,  G03F7/32 501 ,  G03F7/20 521 ,  C08F220/12 ,  C08F212/12

F-Term (35)：

2H196AA25 ,  2H196BA09 ,  2H196EA06 ,  2H196GA03 ,  2H196GA18 ,  2H197AA22 ,  2H197AA24 ,  2H197CA07 ,  2H197CA09 ,  2H197CE10 ,  2H197HA03 ,  2H197JA22 ,  2H197JA24 ,  2H225AM14P ,  2H225AM30P ,  2H225AN31P ,  2H225CA12 ,  2H225CB18 ,  2H225CC03 ,  2H225CC20 ,  2H225CD05 ,  4J100AB01Q ,  4J100AB03Q ,  4J100AL26P ,  4J100BA03P ,  4J100BA11P ,  4J100BA15P ,  4J100BC07P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC12P ,  4J100CA04 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 共重合体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2016-061742   Applicant：日本ゼオン株式会社