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J-GLOBAL ID：202001000577309082   Update date: Apr. 26, 2026

MITANI YUICHIRO

ミタニ ユウイチロウ | MITANI YUICHIRO
Affiliation and department：
Tokyo City University Faculty of Engineering, Department of Electrical, Electronics and Communication Engineering

About Tokyo City University Faculty of Engineering, Department of Electrical, Electronics and Communication Engineering


Research field  (2)： Electronic devices and equipment ,  Electronic devices and equipment
Research keywords  (4)： Non-volatile Memory ,  Device Reliability ,  Nano-electronics ,  Electron devices
Research theme for competitive and other funds  (3)：
  • 2022 - 2025 Controls of nano defects in Silicon nitride films by using atomic hydrogen treatment
  • 2022 - 2024 マイクロ波励起プラズマ処理によるシリコン窒化膜中水素濃度分布制御と電圧駆動型固体素子ニューロンの開発
  • 1999 - 2000 趙微粒子制御クリーニング基礎技術
Papers (122)：
  • Rei Kusunose, Takao Marukame, Ryoichi Kawai, Yuichiro Mitani, Alexandre Schmid, Kota Ando, Tetsuya Asai. Split weight distribution learning for binary neural networks exploiting nano-memristive graphene/sumanene/graphene devices. Japanese Journal of Applied Physics. 2025. 64. 4. 04SP05-04SP05
  • Yoshiharu Kirihara, Haruto Omata, Akira Yasui, Kiyokazu Nakagawa, Yuichiro Mitani, Hiroshi Nohira. Evaluation of the effect of hydrogen plasma treatment on the chemical bonding state and distribution of hydrogen in silicon nitride films by angle-resolved hard X-ray photoelectron spectroscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 2025. 64. 1. 01SP29-01SP29
  • 三谷 祐一郎. 三次元フラッシュメモリ技術とニューラルネットワーク応用. 電子情報通信学会誌. 2024. 107. 4. 296-303
  • Tomoya Tsutsumi, Kazuki Goshima, Yoshiharu Kirihara, Tatsuki Okazaki, Akira Yasui, Kuniyuki Kakushima, Yuichiro Mitani, Hiroshi Nohira. Effects of plasma oxidation and plasma nitridation on chemical bonding state of AlScN evaluated by AR-HAXPES. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 4. 04SP66-04SP66
  • Eito Ashihara, Ryoichi Kawai, Ryousuke Ishikawa, Yuichiro Mitani. Resistive switching memory using buckybowl sumanene-inserted bilayer graphene. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 4. 04SP35-04SP35
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MISC (11)：
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Patents (98)：
  • Individual identification device, storage device, individual identification system, method of individual identification, and program product
  • 復号装置、復号方法およびメモリシステム
  • メモリシステムおよび制御方法
  • 認証システム、認証装置および認証方法
  • Information processing system and semiconductor device
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Books (1)：
  • 薄膜作製応用ハンドブック
    エヌ・ティー・エス 2020 ISBN:9784860436315
Lectures and oral presentations  (143)：
  • 18a-PA2-16 スマネンに着想を得た脳型コンピューティング接続機能としてのバイナリリザバーコンピューティング
    (第73回応用物理学会春季学術講演会 2026)
  • 16a-M_178-3 積層グラフェン/スマネン/グラフェン構造が抵抗スイッチング特性に及ぼす影響
    (第73回応用物理学会春季学術講演会 2026)
  • 16a-M_178-2 SumaneneおよびCorannuleneにおける線状連鎖構造差に起因した電気特性の比較
    (第73回応用物理学会春季学術講演会 2026)
  • 16a-M_178-1 コラニュレン分子を用いた積層構造の抵抗変化現象
    (第73回応用物理学会春季学術講演会 2026)
  • 16p-PB4-28 電荷トラップ型不揮発性メモリ性能向上に向けたフッ化グラフェン積層化プロセス
    (第73回応用物理学会春季学術講演会 2026)
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Education (4)：
  • - 2009 The University of Tokyo Ph.D. in Engineering
  • 1990 - 1992 Tohoku University Graduate School of Engineering
  • 1986 - 1990 Tohoku University Faculty of Engineering
  • 1983 - 1986 東京都立西高等学校
Work history (10)：
  • 2020/04 - 現在 東京都市大学 理工学部 電気電子通信工学科 教授
  • 2019/10 - 2020/03 キオクシア株式会社 メモリ技術研究所、デバイス技術センター 新規メモリ開発部 グループ長
  • 2019/04 - 2019/09 東芝メモリ株式会社 メモリ技術研究所、デバイス技術センター 新規メモリ開発部 グループ長
  • 2017/10 - 2019/03 東芝メモリ株式会社 メモリ技術研究所、デバイス技術センター 新規メモリ開発部 主幹
  • 2012/07 - 2017/09 株式会社東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリ 研究主幹
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Committee career (21)：
  • 2022/05 - 現在 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - Program Committee Vice Chairperson
  • 2020/04 - 現在 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC) Nanodevices Technical Committee member
  • 2009/05 - 現在 IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) Reliability Session Chair
  • 2020/10 - 2024/04 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Memory Reliability Technical Committee member
  • 2020/06 - 2023/06 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Semiconductor Devices sub-committee
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Awards (3)：
  • 2023/11 - International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - Young Researcher Award Degradation on nMOSFET and Interface Trap Creation under Channel Hot Carrier Stressing at Cryogenic Temperature
  • 2017/11 - 2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - Young Award Experimental Evidence of Trap Level Modulation in SiN Thin Film by Hydrogen Annealing
  • 2017/04 - IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) Achievement Award
Association Membership(s) (2)：
IEEE ,  The Japan Society of Applied Physics
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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