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J-GLOBAL ID：202002214697787778   Reference number：20A1230953

Design of High-quality SiC Solution Growth Condition Assisted by Machine Learning

機械学習を活用したSiC高品質結晶成長条件のデザイン

Author (10)： HARADA SHUNTA (名古屋大学未来材料・システム研究所) ,  HARADA SHUNTA (名古屋大学大学院工学研究科) ,  Lin Hung-Yi (名古屋大学大学院工学研究科 (現在ローム株式会社)) ,  TSUNOOKA YOSUKE (名古屋大学大学院工学研究科 (現在ローム株式会社)) ,  Zhu Can (名古屋大学未来材料・システム研究所) ,  NARUMI TAKA (名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリ (現在京都大学大学院工学研究科)) ,  KUTSUKAKE KENTARO (理化学研究所革新知能統合研究センター) ,  UJIHARA TOORU (名古屋大学未来材料・システム研究所) ,  UJIHARA TOORU (名古屋大学大学院工学研究科) ,  UJIHARA TOORU (産業総合研究所 窒化物先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ)
Material： まてりあ  (Materia Japan)
Volume： 59  Issue： 3  Page： 145-152(J-STAGE)  Publication year： 2020 
JST Material Number： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  *solution growth ,  condition ,  process parameter ,  design ,  computer simulation ,  machine learning ,  optimization ,  *crystal growth
Semi thesaurus term： growth condition

Author keywords (6)： silicon carbide ,  solution growth ,  machine learning neural network ,  mathematical optimization ,  dislocation ,  power device

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (39)：

• (1) T. Kimoto: Jpn. J. Appl. Phys., 54(2015), 040103.
• (2) H. Jagodzinski: Acta Crystallogr., 7(1954), 300.
• (3) T. Kimoto: Prog. Cryst. Growth Charact. Mater., 62(2016), 329-351.
• (4) S. G. Müller, E. K. Sanchez, D. M. Hansen, R. D. Drachev, G. Chung, B. Thomas, J. Zhang, M. J. Loboda, M. Dudley, H. Wang, F. Wu, S. Byrappa, B. Raghothamachar and G. Choi: J. Cryst. Growth, 352(2012), 39-42.
• (5) T. Kimoto, A. Iijima, H. Tsuchida, T. Miyazawa, T. Tawara, A. Otsuki, T. Kato and Y. Yonezawa: in 2017 IEEE Int. Reliab. Phys. Symp. (IEEE, 2017), 2A-1.1-2A-1.7.

Terms in the title (7)： 機械学習 ,  活用 ,  SiC ,  高品質 ,  結晶 ,  成長条件 ,  デザイン