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J-GLOBAL ID：202002215003538213   Reference number：20A0683604

Studies on InAs/GaAsSb mid-wavelength interband cascade infrared focal plane arrays

InAs/GaAsSbバンド間カスケード中波赤外焦点面研究【JST・京大機械翻訳】

Author (12)： Zhou Yi (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  Chai Xuliang (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海 200083;中国科学院大学,北京 100049) ,  Tian Yuan (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  Xu Zhicheng (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  Huang Min (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  Xu Jiajia (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  Huang Aibo (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  Bai Zhizhong (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  Chen Honglei (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  Ding Ruijun (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  Chen Jianxin (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  He Li (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083)
Material： Hongwai yu Haomibo Xuebao  (Hongwai Yuhao Mibo Xuebao)
Volume： 38  Issue： 6  Page： 745-750  Publication year： 2019 
JST Material Number： C0174C  ISSN： 1001-9014  CODEN： HHXUEZ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： CHINESE (ZH)

Thesaurus term： dark current ,  *medium wave ,  noise(signal) ,  pixel ,  crystal lattice ,  thermography ,  infrared detector ,  dry etching ,  MBE growth ,  *infrared radiation ,  quality ,  *indium arsenide ,  quantum efficiency ,  response spectrum
Semi thesaurus term： 温度差 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Infrared photometry and photodetectors  (BD07032W) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (8)： InAs ,  GaAsSb ,  バンド ,  カスケード ,  中波 ,  赤外 ,  焦点面 ,  研究