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J-GLOBAL ID：202002218675214763   Reference number：20A1445961

Pulsed-flow growth of polar, semipolar and nonpolar AlGaN

極性,半極性および非極性AlGaNのパルス流成長【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Dinh Duc V. (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya 464-8601, Japan. [e-mail]) ,  Hu Nan ,  Honda Yoshio ,  Amano Hiroshi ,  Pristovsek Markus
Material： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical and Electronic Devices)
Volume： 8  Issue： 25  Page： 8668-8675  Publication year： 2020 
JST Material Number： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The impacts of pulsed-flow gro...

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Thesaurus term： X-ray diffraction ,  vapor phase growth ,  aluminum ,  gallium ,  carbon ,  nitrogen ,  X-ray diffractometry ,  phase separation ,  *pulse ,  precursor(substance) ,  aluminum nitride ,  dangling bond ,  surface reconstruction
Semi thesaurus term： 配向膜 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  半極性 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (5)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Metallic thin films  (BK14030T)

Terms in the title (6)： 極性 ,  半極性 ,  非極性 ,  AlGaN ,  パルス ,  成長