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J-GLOBAL ID：202002218992687199   Reference number：20A0072905

THzトランジスタのためのIII-V族化合物半導体エピタキシャル成長・プロセス技術

Author (5)： HOSHI TAKUYA (NTT 先端集積デバイス研) ,  SHIRATORI YUTA (NTT 先端集積デバイス研) ,  TSUTSUMI TAKUYA (NTT 先端集積デバイス研) ,  SUGIYAMA HIROKI (NTT 先端集積デバイス研) ,  MATSUZAKI HIDEAKI (NTT 先端集積デバイス研)
Material： シンポジウムテラヘルツ科学の最先端講演要旨集  (シンポジウムテラヘルツ科学の最先端)
Volume： 2019  Page： 56-60  Publication year： 2019 
JST Material Number： L6247A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *terahertz wave ,  compound semiconductor ,  *bipolar transistor ,  semiconductor thin film ,  *indium phosphide ,  *layer ,  antimonide ,  arsenide ,  *gallium compound ,  indium compound ,  *doping ,  carbon ,  functional gradient material ,  chemical composition ,  heteroepitaxy ,  *MOCVD ,  frequency characteristic ,  gain ,  *cutoff frequency ,  transcription ,  current-voltage characteristic
Semi thesaurus term： *ベース層 ,  high frequency characteristic ,  current gain

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： トランジスタ ,  III-V族化合物半導体 ,  エピタキシャル成長 ,  プロセス