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J-GLOBAL ID：202002221575149082   Reference number：20A2186433

Waveguide Germanium Avalanche Photodiode with High Responsivity and Low Dependence on Polarization Capable of Receiving 1600nm Band Wavelength

高感度低偏波依存1600nm帯受光可能な導波路型Ge-APD

Author (13)： ONO HIDEKI (沖電気工業 イノベーション推進セ) ,  ONO HIDEKI (技術研究組合光電子融合基盤技術研) ,  FUJIKATA JUN'ICHI (技術研究組合光電子融合基盤技術研) ,  NOGUCHI MASATAKA (技術研究組合光電子融合基盤技術研) ,  TAKAHASHI HIROYUKI (沖電気工業 イノベーション推進セ) ,  TAKAHASHI HIROYUKI (技術研究組合光電子融合基盤技術研) ,  ITO MASANORI (沖電気工業 イノベーション推進セ) ,  SHIMURA DAISUKE (沖電気工業 イノベーション推進セ) ,  SHIMURA DAISUKE (技術研究組合光電子融合基盤技術研) ,  YAEGASHI HIROKI (沖電気工業 イノベーション推進セ) ,  YAEGASHI HIROKI (技術研究組合光電子融合基盤技術研) ,  SASAKI HIRONORI (沖電気工業 イノベーション推進セ) ,  SASAKI HIRONORI (技術研究組合光電子融合基盤技術研)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
Volume： 120  Issue： 143(R2020 9-18)  Page： 29-32 (WEB ONLY)  Publication year： Aug. 21, 2020 
JST Material Number： U2030A  ISSN： 2432-6380  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： mobile communication ,  communication network ,  optoelectronics ,  high sensitivity ,  dependence ,  waveguide ,  germanium ,  avalanche photodiode ,  *receiver
Semi thesaurus term： APD ,  silicon photonics ,  optical access network ,  *optical receiver ,  next generation ,  polarized wave dependence

JST classification (3)： Mobile communication  (ND08030H) ,  Optical communication systems and equipment  (ND10000B) ,  Optical integrated circuits,integrated optics  (BD06050D)

Reference (6)：

• ITU-T G.989.2 https://www.itu.int/itu-t/recommendations/rec.aspx?rec=13745.
• H. Ono, T. Simoyama, S. Okumura, M. Imai, H. Yaegashi, and H. Sasaki, “Waveguide Butt-Joint Germanium Photodetector with Lateral PINStructure for 1600nm Wavelengths Receiving,” IEICE TRANS. ELECTRON., VOL.E101-C, NO.6, pp.409-415, June 2018.
• H. Ono, J. Fujikata, M. Noguchi, H. Takahashi, D. Shimura, H. Yaegashi, and H. Sasaki, “Si Photonics Butt-Coupled Waveguide Germanium Avalanche Photodiodes with Lateral SAM Structures,” OFC 2019, Th3A.9, March 2019.
• H. Ono, J. Fujikata, M. Noguchi, H. Takahashi, D. Shimura, H. Yaegashi, and H. Sasaki, “Si Photonics Butt-Coupled Waveguide Germanium Avalanche Photodiodes with Lateral SAM Structures to Receive Long Wavelengths,” ISPEC2019, C-3, November 2019.
• S. A. Srinivasan, P. D. Heyn, G. Hiblot, H. Chen, S. Lardenois, M. Pantouvaki, and J. V. Campenhout, “Silicon-contacted waveguide integrated Ge/Si avalanche photodiode with 32 GHz bandwidth and multiplication gain >8,” ECOC2019, Tu.1.E.5, September 2019.

Terms in the title (5)： 高感度 ,  偏波 ,  導波路 ,  Ge ,  APD