Art

J-GLOBAL ID：202002223292628660   Reference number：20A1501737

Voltage-induced Magnetocapacitance Effect in Magnetic Tunnel Junctions

磁気トンネル接合における電圧誘起磁気キャパシタンス効果

Author (1)： KAIJU HIDEO (慶應義塾大学理工学学部物理情報工学科)
Material： まてりあ  (Materia Japan)
Volume： 59  Issue： 4  Page： 191-198(J-STAGE)  Publication year： 2020 
JST Material Number： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *tunnel junction ,  magnetoresistance effect ,  tunnel effect ,  magnetic reluctance ,  *voltage generation ,  magnesium oxide ,  frequency characteristic ,  magnetic field ,  spintronics ,  thin film ,  dielectric property ,  relaxation time ,  *capacity ,  *magnetoelectric effect
Semi thesaurus term： トンネル磁気キャパシタンス ,  tunneling magnetoresistance ,  magnetic tunnel junction ,  電圧誘起トンネル磁気キャパシタンス

Author keywords (8)： spintronics ,  magnetocapacitance ,  magnetic tunnel junction ,  thin film ,  DF (Debye-Frohlich) model ,  dielectric property ,  relaxation time ,  voltage-induced phenomenon

JST classification (2)： Magnetic properties  (WB02020J) ,  Metal-insulator-metal structures  (BM03087F)

Reference (50)：

• (1) T. Kimura, T. Goto, H. Shintani, K. Ishizaka, T. Arima and Y. Tokura: Nature, 426(2003), 55-58.
• (2) J. Wang, J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig and R. Ramesh: Science, 299(2003), 1719-1722.
• (3) Y. Kitagawa, Y. Hiraoka, T. Honda, T. Ishikura, H. Nakamura and T. Kimura: Nat. Mater., 9(2010), 797-802.
• (4) M. Tokunaga, M. Akaki, T. Ito, S. Miyahara, A. Miyake, H. Kuwahara and N. Furukawa: Nat. Commun., 6(2015), 5878.
• (5) H. Kaiju, M. Takei, T. Misawa, T. Nagahama, J. Nishii and G. Xiao: Appl. Phys. Lett., 107(2015), 132405.

Terms in the title (4)： 磁気トンネル接合 ,  電圧誘起 ,  磁気 ,  キャパシタンス