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J-GLOBAL ID：202002224253215866   Reference number：20A2239402

Evaluation of crystal structures and piezoelectric properties of epitaxial Pb(Zr,Ti)O₃ thin films grown on Si substrates

Si基板上エピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃薄膜の結晶構造と圧電特性の評価

Author (5)： TAN G. (神戸大) ,  KIM Eun-Ji (Korea Univ.) ,  KWEON Sang-Hyo (神戸大) ,  KOGANEZAWA TOMOYUKI (高輝度光科学研究セ) ,  KANNO ISAKU (神戸大)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 67th  Page： ROMBUNNO.15a-D419-4  Publication year： Feb. 28, 2020 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： X-Ray Diffraction ,  *epitaxy ,  ferroelectrics ,  *crystal structure ,  lattice distortion ,  voltage ,  electric field ,  *thin film ,  permittivity ,  tetragonal system ,  in situ observation ,  buffer layer ,  MEMS ,  reciprocal lattice ,  piezoelectric constant

JST classification (2)： Piezoelectric devices  (NC03110I) ,  Piezoelectricity,pyroelectricity,electret  (BM05040M)

Terms in the title (10)： Si基板 ,  エピタキシャル ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  薄膜 ,  結晶構造 ,  圧電特性 ,  評価