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J-GLOBAL ID：202002224437787025   Reference number：20A0681211

Effect of Chemical Reaction Rate in Ultraviolet Photocatalytic Auxiliary SiC Polishing Process

紫外光触媒支援SiC研磨における化学反応速度の影響【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Lu Jiabin (广東工業大学 机電工程学院,广州 510006;广東納諾格莱科技有限公司,广東 佛山 528225) ,  Xiong Qiang (广東工業大学 机電工程学院,广州,510006) ,  Yan Qiusheng (广東工業大学 机電工程学院,广州 510006;广東納諾格莱科技有限公司,广東 佛山 528225) ,  Wang Xin (广東工業大学 机電工程学院,广州,510006) ,  Liao Botao (广東工業大学 机電工程学院,广州,510006)
Material： Biaomian Jishu
Volume： 48  Issue： 11  Page： 148-158  Publication year： 2019 
JST Material Number： C2656A  ISSN： 1001-3660  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： CHINESE (ZH)

Thesaurus term： oxidation-reduction potential ,  *polishing(machining) ,  smooth surface ,  photoirradiation ,  abrasive compound ,  *silicon carbide ,  *catalyst ,  chemical mechanical polishing ,  surface roughness ,  chemical reaction ,  *ultraviolet radiation ,  characterization ,  photocatalytic reaction ,  diamond ,  *photocatalyst

JST classification (2)： Grinding  (QC03000R) ,  Other surface treatment  (WC08070F)

Terms in the title (6)： 光触媒 ,  支援 ,  SiC ,  研磨 ,  化学 ,  反応速度