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J-GLOBAL ID：202002229855673094   Reference number：20A0346641

Thermal Analysis of GaN Device on Diamond Substrate with High Thermal Conductivity

高熱伝導率のダイヤモンド基板上のGaNデバイスの熱分析

Author (2)： YOSHITSUGU Koji (Mitsubishi Electric) ,  YAGYU Eiji (Mitsubishi Electric)
Material： Mitsubishi Electric Advance (Web)  (Mitsubishi Electric Advance Magazine (Web))
Volume： 168  Page： 13-15 (WEB ONLY)  Publication year： Dec. 2019 
JST Material Number： U1301A  ISSN： 1345-3041  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thermal conductivity ,  *diamond ,  *substrate(plate) ,  *gallium nitride ,  wafer ,  aluminum compound ,  layer ,  thermal resistance
Semi thesaurus term： AlGaN/GaN ,  GAN ,  SiC substrate ,  silicon substrate ,  epitaxial layer ,  *circuit board

JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (2)：

• Ejeckam, F., et al.: GaN-on-diamond: A brief history, 2014 Lester Eastman Conf. on High Performance Dev. (2014)
• Altman, D., et al.: Analysis and characterization of thermal transport in GaN HEMTs on Diamond substrates, 14th Intersociety Conf. on Thermal and Thermomechanical Phenomena in Electronic Systems (2014)

Terms in the title (4)： 熱伝導率 ,  ダイヤモンド基板 ,  GaN ,  熱分析